热插拔是适用指将电子配置装备部署插入带电电源；这可能会破损相关电子配置装备部署
。电容性负载可能会发生较大的于热运用负载电流，从而给电源
 、插拔电缆组件以及任何限流电路带来压力 。备导此外，通电电缆寄生电感上的高效电压变更会引起电压尖峰，从而进一步破损电子配置装备部署。适用

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热插拔是于热运用指将电子配置装备部署插入带电电源；这可能会破损相关电子配置装备部署
。电容性负载可能会发生较大的插拔负载电流
，从而给电源
、备导电缆组件以及任何限流电路带来压力 。通电此外，高效电缆寄生电感上的适用电压变更会引起电压尖峰，从而进一步破损电子配置装备部署
。于热运用

简介

热插拔是插拔指将电子配置装备部署插入带电电源；这可能会破损相关电子配置装备部署。电容性负载可能会发生较大的负载电流，从而给电源、电缆组件以及任何限流电路带来压力。此外，电缆寄生电感上的电压变更会引起电压尖峰
，从而进一步破损电子配置装备部署。

热插拔电路用于经由偏置传输晶体管的栅极来限度浪涌电流，从而应承电子配置装备部署以受控方式插入带电电源 。强盛的热插拔妄想将操作浪涌电流以及 dv/dt，从而坚持 MOSFET 的清静使命条件。

德州仪器 (TI) 提供多种热插拔操作器，使热插拔运用的妄想变患上重大 。该操作器限度流过 MOSFET 的电流、功耗，而且可能限度 dv/dt
。LM5066I 便是一个例子 。LM5066I 的运用道理图如下所示
。

经由传输晶体管的电流由 RSNS 配置 。应留意将开尔文衔接到 RSNS 以取患上精确的电压读数 。

功耗由RPWR配置。电流由一个受监控的电阻器配置 。可能运用CTIMER配置倾向计时器来限度光阴量。dv/dt操作可经由可选的RCDQ电路妨碍配置 。

零星妄想职员在合计电流 、功耗、倾向定时器以及 dv/dt 时，应参考 MOSFET 数据表中的清静使命地域曲线
。下面以 CSD17570Q5B（一款针对于热插拔运用妨碍优化的 TI MOSFET）的清静使命地域曲线为例。

抉择 MOSFET 的关键参数

抉择热插拔运用的晶体管是妄想坚贞电路的关键步骤 。在热插拔妄想中运用低 RDS(on) MOSFET 可飞腾 MOSFET 残缺导通时的功耗以及压降 。低 RDS(on) 在稳态运行时期相关，但在从残缺封锁到残缺开启的过渡时期无关，此时 MOSFET 在线性地域运行。在线性区运行应参考运行曲线的清静区。精采的热界面以及饶富的散热颇为紧张，由于 MOSFET 在线性地域使命时会发生耗散 。应运用针对于热插拔运用优化的 MOSFET。

适用于热插拔运用的 Texas Instruments 功率 MOSFET

Texas Instruments 的 NexFET? 功率 MOSFET 系列针对于热插拔运用妨碍了优化。CSD17570Q5B 是 TI 的一款功率 30V MOSFET ，针对于热插拔妄想妨碍了优化。它的 RDS(on)=0.53mohm，VGS=10V。在 25°C 下，将其部署在 1 平方英寸的铜上时，可耗散 3.2W 的功率。它接管 SON 封装，尺寸为 5 毫米 x 6 毫米。